교수

Department of Physics & Astronomy
차국린
차국린교수
ProfessorChar, Kookrin
응용물리연구소 소장
연구실 : 56-326 , 02-880-6263
실험실 : 02-880-2238
소재소자 물리연구실

연구분야

응집 물질 물리

학력

  • · 1989 Ph.D. in Applied Physics, Stanford University
  • · 1984 M.S. in Physics. University of California, Los Angeles
  • · 1982 B.S. in Physics, Seoul National University

주요경력

  • · 1998-present Assistant Professor, Associate Professor, Professor, Seoul Natonal University
  • · 1997-1998 Senior Member of Technical Staff, Conductus, Inc.
  • · 1995-1997 Manager of Research Group, Conductus, Inc.
  • · 1993-1995 Manager of Device Technology Group, Conductus, Inc.
  • · 1989-1993 Member of Technical Staff, Conductus, Inc.

연구내용

우리는 수년 전에 페롭스카이트 산화물 BaSnO3는 높은 mobility을 갖는다는 것을 발견하였다. 이를 이용한 다양한 복합구조를 연구하는데 그 중에서도 BaSnO3/LaInO3 계면에서 높은 carrier density를 보이는 2DEG (2차원 전자계) 상태에 대한 연구를 진행 중이다. 이러한 2DEG 상태는 high power transistor를 만들 수 있을 뿐만 아니라 저온에서 그 특성이 기존의 다른 2DEG과 다른 양자 상태가 나올 가능성이 높다. 이를 위해 저온에서 mobility를 높이는 방향으로 연구를 진행 중이다.
이 외에도 BaSnO3와 유사한 물질 중에서 높은 유전상수를 보이는 물질에 대한 연구와 ultrawide bandgap 산화물 반도체에 대한 연구도 진행 중이다.

최근 5년간 주요논문

  1. "LaInO3/BaSnO3 polar interface on MgO substrates”, APL Mater. 6, 096104 (2018).
  2. "High-k perovskite gate oxide BaHfO3”, APL Mater. 5, 016104 (2017).
  3. "Conducting interface states at LaInO3/BaSnO3 polar interface controlled by Fermi level”, APL Mater. 4, 071102 (2016).
  4. "All-perovskite transparent high mobility field effect using epitaxial BaSnO3 and LaInO3”, APL Mater. 3, 036101 (2015).