Ambipolar Memory Devices Based on Reduced Graphene Oxide and Nanoparticles

본 연구에서는 Graphene Oxide를 기반으로 하는 Directed-assembly 방법을 통하여 균일한 특성을 가지는 Graphene-based Ambipolar 기억소자를 제작하는데 성공했다. 이 기억소자는 기존의 microfabrication 공정 설비만으로 소자 제작이 가능하다는 장점이 있으며 스위칭 소자나 나노입자를 적용하여 type-switching 소자로 활용이 가능하다.