Occurrence of Both Unipolar Memory and Threshold Resistance Switching in a NiO Film

차세대 메모리 Resistive Random Access Memory (RRAM)의 전압에 따른 저항 스위칭 (Resistance Switching: RS) 현상을 이해하기 위한 많은 노력이 있어 왔다. 이러한 노력으로 저항 스위칭 현상이 절연체 내부의 국소적인 conducting filaments 생성 유무와 밀접한 관련이 있음을 알아냈다. 하지만, 여전히 conducting filaments가 왜 끊어지는가에 대한 명확한 이해가 필요했다.

산화물전자공학연구단의 장서형 학생은 두 가지 전혀 다른 유형의 저항 스위칭 현상(memory RS와 threshold RS)이 한 시료에서 온도를 조절함에 따라 나타나는 흥미 있는 현상을 발견하였다. 복잡계 네트워크 연구실의 이재성 학생과 공동연구를 통해, percolation network에서 흐르는 전류에 의한 열 효과로 conducting filaments가 끊기기 때문임을 알아냈다. 이는 RRAM 동작원리의 구체적인 이해 및 실제 모델링에 도움을 줄 수 있는 연구결과이다. [Phys. Rev. Lett., 102, 026801 (2009)]