[채승철/이재성] RRAM의 기본동작 메커니즘 규명

산화물전자공학연구단 (ReCOE: 단장 노태원 교수) 채승철 학생과 복잡계 네트워크 연구실 (단장 강병남 교수) 이재성 학생 공동으로 Resistive Random Access Memory (RRAM)의 동작 원리에 대하여 규명하고 이를 Advanced Material지에 발표하였다. 두 학생은 산화물 박막의 저항변화 현상에 대한 실험을 수행하였으며, 이에 대한 percolation을 기반으로 한 새로운 모델을 제시하고 전산 시늉에 성공하였다. 이 논문은 현재 차세대 메모리 소자로 각광받고 있는 RRAM에 대한 현상론적 이해와 이를 바탕으로 한 산화물 박막을 소자화 하는데 중요한 기준을 제시한 연구결과이다. [Adv. Mater. 20, 1154 (2008)]
http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext/117929887/PDFSTART

[문순재/ReCOE] 2차원 물질에서 일어나는 스핀갭 현상에서 오비탈의 역할

Spin dimerization은 1차원 구조를 가진 물질에서 격자 구조의 변화와 함께 일어나는 것으로 알려져 있다. 최근에는 2차원 또는 3차원 구조를 가지는 물질에서도 이러한 현상이 관측되어 많은 관심을 끌고 있다. 산화물전자공학연구단 (ReCOE: 단장 노태원 교수)의 문순재 학생은 2차원 적인 구조를 가지는 La4Ru2O10에서 spin dimerization에 대한 연구를 수행하여, 오비탈 정렬 현상이 중요한 역할을 한다는 것을 실험적으로 규명하였다. [Phys. Rev. Lett., 100, 116404 (2008)]
http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000100000011116404000001&idtype=cvips&prog=normal