Paired Gap States in a Semiconducting Carbon Nanotube : Deep and Shallow Levels

Phys. Rev. Lett. 95, 166402 (2005)
탄소나노튜브에서 여러 결함 상태는 밴드 갭 내에 결함 에너지준위를 형성하는 것으로 알려져 있다. 지금까지 발견된 결함 준위는 보통 valence a band 나 conduction band에 가까운 주로donor,accetor형태의 결함이었다. 이 논문에서는 밴드갭의 중앙에 가까운 결함이 존재하면, 이 결함은 vacancy와 adatom 에 의해 생긴다는 것을 이론적으로 설명하고, 실험적으로 주사형터널링현미경 스펙트럼으로 보여주었다.